استفاده صنعتی از لایه نشانی اتمی در بخش میکرو LED

به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، گروه پیکوسان (Picosun Group)، ارائه دهنده فناوری های پیشرو و راه حل های پوشش و فیلم نازک اعلام کرد که فناوری لایه نشانی اتمی این شرکت کارایی میکرو ال ای دی ها را افزایش می دهد.

- گروه پیکوسان ارائه دهنده فناوری های پیشرو و راه حل های پوشش و فیلم نازک اعلام کرد که فناوری لایه نشانی اتمی این شرکت کارایی میکرو ال ای دی ها را افزایش می دهد.

به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، گروه پیکوسان (Picosun Group)، ارائه دهنده فناوری های پیشرو و راه حل های پوشش و فیلم نازک اعلام کرد که فناوری لایه نشانی اتمی این شرکت کارایی میکرو ال ای دی ها را افزایش می دهد.

در تحقیقات انجام شده توسط دانشگاه ملی یانگ مینگ چیائو تونگ (NYCU) در تایوان، نشان داده شده است که لایه نشانی اتمی (ALD) پیکوسان نقش حیاتی در افزایش ویژگی های الکترواپتیکی میکرو LED ها ایفا کرده است.

استفاده از فیلم های دی الکتریک به عنوان ماده غیرفعال سازی، یک روش محبوب برای سرکوب کردن پیوند های آزاد و همچنین برای بهبود توان خروجی و راندمان کوانتومی خارجی در LED است.

مطالعه ای که در NYCU انجام شده که در آن میکرو ال ای دی های III-Nitride با اندازه های مختلف با و بدون غیرفعال سازی ALD Al 2 O 3 مقایسه شده است.