گامی نو در توسعه حافظه های نسل آینده با فناوری تراهرتز

پژوهشی در دانشگاه شهید بهشتی نشان می دهد ترکیب فناوری های پلاسمونیک، اسپینترونیک و تراهرتز می تواند زمینه ساز تحول در طراحی حافظه ها و ادوات پردازشی نسل جدید شود.

- گامی نو در توسعه حافظه های نسل آینده با فناوری تراهرتز پژوهشی در دانشگاه شهید بهشتی نشان می دهد ترکیب فناوری های پلاسمونیک، اسپینترونیک و تراهرتز می تواند زمینه ساز تحول در طراحی حافظه ها و ادوات پردازشی نسل جدید شود.

به گزارش خبرگزاری صدا و سیما  ، پژوهشی تازه در حوزه فوتونیک نشان می دهد هم افزایی سه قلمرو علمی پلاسمونیک، اسپینترونیک و فناوری تراهرتز می تواند مسیر های نوینی برای تولید و تقویت جریان های اسپینی در مقیاس های زمانی فوق سریع بگشاید.

این دستاورد که در قالب یک رساله دکتری در دانشگاه شهید بهشتی انجام شده، به بررسی نقش ساختار های مگنتوپلاسمونیکی یک بعدی و دوبعدی در افزایش کارایی جریان های اسپینی می پردازد و می تواند افق های جدیدی را در توسعه ادوات نسل آینده حافظه و پردازش اطلاعات ترسیم کند.

رساله دکتری مریم حسینی، دانش آموخته دکتری فوتونیک دانشگاه شهید بهشتی، با راهنمایی مهری حمیدی سنگدهی، به بررسی تولید جریان اسپینی تراهرتزی بر اثر القای تابش فمتوثانیه در ساختار های مگنتوپلاسمونیکی اختصاص یافته است؛ موضوعی که در نقطه تلاقی سه حوزه پیشرف�