سریع ترین حافظه فلش جهان رونمایی شد

چین از سریع ترین حافظه فلش جهان رونمایی کرده که با استفاده از فناوری نوین و الگوریتم های هوش مصنوعی ابداع شده است.

- به گزارش خبرگزاری مهر به نقل از شینهوا، تیم تحقیقاتی چینی یک حافظه فلش ابداع کرده اند که قادر به ذخیره سازی هر بیت با سرعت 400 پیکوثانیه است که رکورد جدیدی برای سریع ترین دستگاه نیمه رسانای حافظه به حساب می آید.

پیکوثانیه یک هزارم نانوثانیه یا یک تریلیونم ثانیه است.

به عبارت دیگر این حافظه می تواند حدود 25 میلیارد عملیات در ثانیه انجام دهد.

این حافظه غیرفرار PoX که نام دارد حتی از سریع ترین فناوری های حافظه فرار که برای ذخیره یک بیت داده به حدود 1 تا 10 نانوثانیه نیاز دارند، بهتر عمل می کند.

حافظه های فرار مانند SRAM و DRAM که با قطع برق داده هایشان از دست می رود، برای سیستم های کم مصرف مناسب نیستند.

در این میان حافظه های غیرفرار مانند فلش که در مصرف انرژی صرفه جویی می کنند نیز نمی توانند نیازهای دسترسی سریع به داده در حوزه هوش مصنوعی را بر آورده کنند.

محققان دانشگاه فودان یک با استفاده از مکانیسمی نوین یک حافظه دو بعدی Direc با کانال گرافن( two-dimensional Dirac graphene-channel flash memory) ابداع کردند که مرزهای سرعت ذخیره سازی اطلاعات غیر فرار و دسترسی به آن را شکست.