امکان ساخت ترانزیستورهای زیر یک نانومتر فراهم می شود

با ارائه یک روش ساخت جدید، مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکان پذیر می شود.

در این راستا یک تیم تحقیقاتی روش جدیدی را برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی 1D با عرض کمتر از 1 نانومتر ارائه کرده است.

- به گزارش ایسنا، این گروه به سرپرستی جو مون هو از مرکز مواد جامد کوانتومی ون در والس در انستیتوی علوم پایه (IBS)، از این فرآیند برای توسعه ساختار جدیدی به منظور ساخت مدارهای منطقی نیمه هادی 2D استفاده کردند.

نکته قابل توجه این است که آنها از فلزات یک بعدی به عنوان الکترود دروازه در ترانزیستور فوق العاده ریز استفاده کردند.

دستگاه های یکپارچه مبتنی برمواد نیمه هادی دو بعدی که در پایین ترین ابعاد بوده و از نظر ضخامت در مقیاس اتمی هستند، می توانند در تحقیقات پایه و کاربردی حوزه الکترونیک نقش مهمی داشته باشند.

با این حال، تحقق چنین دستگاه های ترانزیستوری فوق العاده نازک که می توانند حرکت الکترون را در چند نانومتر کنترل کنند، چالش برانگیز است.

این که چقدر بتوان دستگاه های نیمه هادی را با هم ترکیب کرد، به عرض و بازده کنترل الکترود دروازه بستگی دارد، دروازه ای که کنترل جریان الکترون ها در ترانزیستور را کنترل می کند.