ارائه روشی برای تقویت نوعی اثر کششی در مدارهای نانوالکترونیک

یکی از محققان کشور با همکاری پژوهشگرانی از کشور اسپانیا روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولُمبی در نقطه های کوانتومی که به عنوان یکی از مسائل مورد توجه محققان فیزیک ماده چگال نظری و تجربی بوده است، - یکی از محققان کشور با همکاری پژوهشگرانی از کشور اسپانیا روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولُمبی در نقطه های کوانتومی که به عنوان یکی از مسائل مورد توجه محققان فیزیک ماده چگال نظری و تجربی بوده است، ارائه کرده اند.

به گزارش ایسنا، فرض کنید دو رسانا داشته باشیم که نزدیک یکدیگر هستند، اما هیچ اتصالی بین آن ها برقرار نباشد.

با آزمایش های دقیق مشاهده شده که اگر یک جریان الکتریکی از یکی از این رساناها عبور کند، در رسانای مجاور آن، اختلاف پتانسیل و یا جریان الکتریکی ضعیفی برقرار می شود که به این اثر، کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect) گفته می شود.

علت اصلی این اثر، برهمکنش کولُمبی بین الکترون های این دو رسانای نزدیک یکدیگر است.

اثر کشش کولمبی بین نقطه های کوانتومی، با توجه به استفاده فراوان از آنها در نانوالکترونیک، از اهمیت بسزایی برخوردار است.

در سال 2016، این اثر در سیستمی شامل دونقطه کوانتومی که به چهار الکترود فلزی متصل شده بود، مشاهده شد.