اطلاعات حافظه های فلش با نور کم قابل پاک شدن است

محققان کره ای ضمن مهندسی سطح نقاط کوانتومی توانستند اطلاعات حافظه های فلش را با شدت نور پایین پاک کنند.

- به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، اطلاعات موجود روی حافظه های فلشی که از ترانزیستور های اثر میدان آلی (OFETs) ساخته می شوند را می توان به سرعت پاک کرد که این کار با استفاده از نور انجام می شود.

محققان دانشگاه هانیانگ در سئول با همکاری محققانی از دانشگاه پوهانگ روشی ارائه کردند که در آن از نقاط کوانتومی سلنید کادمیم برای بهبود عملکرد این ادوات استفاده شده است.

یونگ جین جونگ و جایونگ جانگ از محققان این پروژه می گویند: حافظه های قابل پاک شدن با نور که با OFET ساخته شده اند اخیرا بسیار مورد توجه قرار گرفته است.

فرآیند پاک کردن اطلاعات در این ادوات معمولا با استفاده از نور کنترل می شود که این کار به مدد انتقال بار تحریک شده با نور صورت می گیرد.

جانگ و همکارانش به بررسی نقاط کوانتومی پرداختند، نقاطی که روی سطح آن ها با استفاده از مولکول های آلی مختلف پوشش داده شده است.

آن ها به بررسی این موضوع پرداختند که چگونه می توان سطح نقاط را اصلاح کرد و روی عملکرد حافظه تاثیر گذاشت.

نتایج نشان داد که لیگند های کوچک که روی سطح اکتادسیل فسفونیک (ODPA) قرار دارد به همراه مولکول های فلورینات می توانند نفوذ حفره ها را میان نقاط کوانتومی و کانا�