بررسی اثر نانوذرات اکسید آهن در برچسب زنی سلولی

نتایج مطالعات محققان چینی در مورد نانوذرات اکسید آهن به عنوان عامل کنتراست دهنده در رزونانس مغناطیسی (MR) نشان می دهد که پارامترهای متعددی از قبیل مقدار نانوذرات روی سلامت سلول ها و تعداد سلول های برچسب خورده تاثیر می گذارد.

به گزارش سایت قطره و به نقل ازسرویس فناوری ایسنا، یک تیم تحقیقاتی از سه موسسه پزشکی در چین دریافتند که نانوذرات اکسید آهن می تواند به عنوان عامل کنتراست دهنده برای آزمون های MR مورد استفاده قرار گیرد.

تاثیر نانوذرات اکسید آهن روی سلول ها به فاکتورهای متعددی از قبیل دوز نانوذرات بستگی دارد.

نتایج تحقیقات این گروه نشان داد که درصد سلول های حاوی اکسید آهن 48 ساعت بعد از تزریق بسیار کمتر از 24 ساعت اولیه است.

آنها همچنین دریافتند که غلظت نانوذرات اکسید آهن می تواند روی فعالیت سلول تاثیرگذار باشد.

غلظت بالا ممکن است موجب مرگ سلولی شود.

وین لی چن ، یکی از نویسندگان این مقاله می گوید: عامل کنتراست دهنده خوب در MR باید چند ویژگی مهم داشته باشد.

چن که در دانشگاه نرمال چین جنوبی فعالیت دارد، می افزاید: از این ویژگی ها می توان به سمیت کم، پایداری بالا، حساسیت بالا، حلالیت خوب و امکان باقی ماندن در سلول هدف به مدت طولانی اشاره کرد.